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SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展

赵春阳 王恩会 侯新梅

赵春阳, 王恩会, 侯新梅. SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展[J]. 工程科学学报. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001
引用本文: 赵春阳, 王恩会, 侯新梅. SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展[J]. 工程科学学报. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001
Research progress on oxidation mechanism and kinetics of SiC semiconductor with different crystal surfaces[J]. Chinese Journal of Engineering. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001
Citation: Research progress on oxidation mechanism and kinetics of SiC semiconductor with different crystal surfaces[J]. Chinese Journal of Engineering. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001

SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展

doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001
详细信息
  • 中图分类号: TN 305.5

Research progress on oxidation mechanism and kinetics of SiC semiconductor with different crystal surfaces

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出版历程
  • 网络出版日期:  2020-12-31

SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展

doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001
  • 中图分类号: TN 305.5

摘要: SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。本文针对基于Deal-Grove模型提出的两种代表性修正模型即Song模型和Massoud经验关系式,从模型计算结果与实验数据的拟合情况和氧化生长速率常数随温度变化的关系等两方面进行讨论。在此基础上,分析已有修正模型的优缺点,为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路。

English Abstract

赵春阳, 王恩会, 侯新梅. SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展[J]. 工程科学学报. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001
引用本文: 赵春阳, 王恩会, 侯新梅. SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展[J]. 工程科学学报. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001
Research progress on oxidation mechanism and kinetics of SiC semiconductor with different crystal surfaces[J]. Chinese Journal of Engineering. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001
Citation: Research progress on oxidation mechanism and kinetics of SiC semiconductor with different crystal surfaces[J]. Chinese Journal of Engineering. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2020.10.10.001

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